Samsung ha descubierto cómo fabricar DRAM de 32 Gb utilizando su tecnología de proceso de 12 nm.
Samsung Electronics se dispone a suministrar 1 TB de memoria DDR5 en un solo módulo gracias a un gran avance en la fabricación de DRAM.
La empresa surcoreana ha desarrollado la primera memoria DRAM DDR5 de 32 gigabits (Gb) y mayor capacidad del sector, que utiliza tecnología de proceso de 12 nm.
Con ello, Samsung podrá producir módulos de memoria DDR5 de 1 TB, pero hay otra ventaja del paso a la DRAM de 32 Gb. En comparación con la actual DRAM DDR5 de 16 Gb y 12 nm, el consumo de energía se reduce un 10% si se comparan módulos de 128 GB.
Según SangJoon Hwang, vicepresidente ejecutivo de productos y tecnología DRAM de Samsung Electronics, en un principio los principales clientes de esta DRAM serán los centros de datos, la IA y los macrodatos:
«Con nuestra DRAM de 32 Gb de clase 12 nm, hemos conseguido una solución que permitirá módulos DRAM de hasta 1 terabyte (TB), lo que nos permite estar en una posición ideal para atender la creciente necesidad de DRAM de alta capacidad en la era de la IA (Inteligencia Artificial) y el big data … Seguiremos desarrollando soluciones DRAM a través de tecnologías de proceso y diseño diferenciadas para romper los límites de la tecnología de memoria.»
Samsung espera empezar a producir en masa DRAM DDR5 de 32 Gb de 12 nm antes de finales de 2023.
Más memoria en menos espacio y con menor consumo de energía siempre será popular entre los operadores de centros de datos. Sin embargo, esta tecnología de memoria debería acabar llegando a los módulos DDR5 de nuestros ordenadores de sobremesa y portátiles. Ahora mismo, los kits de memoria de 192 GB compuestos por cuatro módulos parecen ser la gama alta para los consumidores.
